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                            常用的三极管电路设计:电阻到底是怎么选的?
                            常用的三极管电路设计:电阻到底是怎么选的?

                            今天主要给硬件新手写点东西,关于三极管实用方面的,会说两个基本的电路,以及相关电阻的取值及注意事项。一个现状我们在模电教材里面,会有各种放大电路,共基,共集,共射等,相关的计算公式,曲线,电路等效模型天花乱坠,学起来非常费劲。实际90%工作,可能我们只需要关注一个参数就行了,那就是电流放大倍数β,其它的通通用不到,而且我们做产品,如果真要放大信号,那也是使用各种集成运放。

                            绝大多数情况,我们是把三极管当作一个低成本的开关来使用的,作为开关,虽然MOS可能更为合适,不过三极管价格更低,在小电流场景,三极管反而是用得更多的。详细阅读>>

                            干货"title="干货" 干货

                            三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

                            容易忽略的电路细节——三极管驱动蜂鸣器

                            容易忽略的电路细节——三极管驱动蜂鸣器

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                            蜂鸣器是我们在电路设计中使用的常见的一种预警发声器件,我们常使三极管的工作于开关状态来驱动它。然而越简单的电路,很多人在设计时往往越容易忽略细节,导致实际电路中蜂鸣器不发声、轻微发声和乱发声的情况发生。详细阅读>>

                            三极管的倒置状态及其作用

                            三极管的倒置状态及其作用

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                            集电结正偏,发射结反偏,为倒置状态;集电结正偏,发射结正偏,为饱和状态;集电结反偏,发射结反偏,为倒截止态;集电结反偏,发射结正偏,为放大状态。详细阅读>>

                            三极管开关电路设计详细过程

                            三极管开关电路设计详细过程

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                            三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。详细阅读>>

                            三极管放大电路的性能指标

                            三极管放大电路的性能指标

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                            在电子电路系统中,放大电路(器)的种类非常多,可分为低频放大器、高频放大器、射频放大器;有甲类放大器、乙类放大器等等。无线通信设备的射频部分就包含低噪声放大器、i中频放大器、缓冲放大器、驱动放大器、功率放大器等。详细阅读>>

                            如何利用MOSFET的三极管和饱和区与负载电阻配对以提供脉冲电流

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                            如何利用MOSFET的三极管和饱和区与负载电阻配对以提供脉冲电流

                            当环境和电路设计变量影响输出时,要确定具有负反馈的电路的稳定性并非易事。任何错误的计算都会成为电路异常行为(如振荡和振铃)的温床。这就需要采取先发制人的测试程序,以最小化输出波动的可能性。详细阅读>>

                            晶体三极管如何工作的?不,我是问它的真实工作原理

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                            晶体三极管如何工作的?不,我是问它的真实工作原理

                            本文探究设计型晶体管内部工作机制:是从物理学家的视角,而不是从工程师或者技术人员应用的角度。在解决电路设计问题中,工程师需要将晶体管看成是电流放大器件模型,或是可变跨导器件,或是电荷控制的电流源。我们正式通过上述建立的黑盒子模型来理解带有晶体管电子线路。值得警惕的是,当我们想解开罩在晶体管上的迷雾去了解其内部工作机理时,这些有用的黑盒子模型反而会干扰我们的理解。详细阅读>>

                            经典案例 经典案例
                            三极管的耐压与hFE之间是什么关系?

                            三极管的耐压与hFE之间是什么关系?

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                            于三极管的电流增益在正向与反向(也就是将C,E对调)的变化通过实验测量,观察到其中的数据的分散。对于三极管的CB,EB的PN的反向击穿电压进行测量,他们与电流增益之间的也是没有明显的相关关系。详细阅读>>

                            苏联早期生成的三极管

                            苏联早期生成的三极管

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                            本文介绍了早期 苏联晶体三极管[1] 的外观和内部结构。这些内容可以帮助我们对晶体三极管工作原理产生直观印象。对于上个世纪出生的人来说,这些都是满满的回忆,也见证电子学是如何从电子管过渡到晶体管时代的。详细阅读>>

                            三极管和MOS管下拉电阻的作用

                            三极管和MOS管下拉电阻的作用

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                            简单讲解一下三极管,如果三极管工作在饱和区(完全导通),Rce≈0,Vce≈0.3V,且这个0.3V,我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA,若Ib=1mA, Ic=100mA,它的放大倍数β=100,三极管完全导通。详细阅读>>

                            晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号"β"表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

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